日本結晶成長学会誌
Online ISSN : 2187-8366
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01aB05 Epitaxial growth of GaN films on Tungsten substrates(NCCG-36)
G. LiJ. OhtaS. InoueK. OkamotoT. NakanoH. Fujioka
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2006 年 33 巻 4 号 p. 201-

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抄録

We have grown GaN films epitaxially on W(110) substrates by using low-temperature AlN films as buffer layer by pulsed laser deposition (PLD). The as-grown GaN films contain no 30°rotational domains and have quite flat surfaces.

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© 2006 日本結晶成長学会
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