日本結晶成長学会誌
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01aB09 4H-SiC(112^^-0)基板に成長した低転位密度無極性面4H-AlN(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
堀田 昌宏須田 淳木本 恒暢
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2006 年 33 巻 4 号 p. 205-

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抄録

Growth of very high-quality nonpolar 4H-AlN (1120) on 4H-SiC (1120) substrate is presented. A reduction of defects such as stacking faults and threading dislocations was achieved by isopolytypical and coherent growth. Transmission electron microscopy revealed the stacking fault density to be 2×10^5cm^<-1>, and the partial and perfect threading dislocation density to be 7×10^7cm^<-2> and 1×10^7cm^<-2>, respectively.

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© 2006 日本結晶成長学会
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