日本結晶成長学会誌
Online ISSN : 2187-8366
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01aB10 MgO基板上への半極性AlN薄膜の成長と評価(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
河野 哲小林 篤太田 実雄藤岡 洋
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2006 年 33 巻 4 号 p. 206-

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抄録

We have grown AlN films on MgO(001) substrates by pulsed laser deposition (PLD) and investigated their structural properties. We have found that semi-polar AlN (1012) grows epitaxially on MgO (001) at the growth temperature of 1000℃ with the in-plane alignment of AlN[1210]//MgO[110].

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© 2006 日本結晶成長学会
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