日本結晶成長学会誌
Online ISSN : 2187-8366
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03aC14 一方向凝固多結晶シリコンのラマン散乱による応力解析(結晶評価・その場観察(2),第36回結晶成長国内会議)
松尾 整河村 貴宏寒川 義裕柿本 浩一新船 幸二大下 祥雄山口 真史
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2006 年 33 巻 4 号 p. 337-

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抄録

Stresses in the growing crystal have been measured by experiment of Raman scattering, and calculated theoretically by using molecular dynamics. Peaks in Raman scattering shift to the larger wave numbers as increase the pressure in the system. When we modify the pressure in the simulation system, the results have agreement with the experimental results.

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© 2006 日本結晶成長学会
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