日本結晶成長学会誌
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UHV in-situとC_s-corrected HRTEMによる極薄Si酸化膜上でのGeナノドットの核形成・成長,および微細構造の評価(<小特集>結晶評価技術の新展開)
趙 星彪川野 晋司齋藤 晃山崎 順田中 信夫
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2007 年 34 巻 3 号 p. 124-130

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抄録

超高真空その場観察高分解能透過プロファイル電子顕微鏡法と球面収差補正高分解能透過電子顕微鏡法を用いて,極薄Si酸化膜付きのSi(111)基板上にGe蒸着を行い,まずGeナノドットの核形成,成長の諸過程を,次に形成後のGeナノドット,およびそれとSi基板の界面近傍での微細構造を評価した.Geナノドットの核形成・成長については,臨界核サイズを境に最初緩やかに成長してから急激に成長する2段階の成長様式を示すことが明らかになった.また,形成されたGeナノドットは,Si基板上にエピタキシャル成長し,約70%が単結晶であることがわかった.その際,粒径10nm以上では転位を導入してGe本来の格子定数を示しており,粒径10nm以下では転位がなく圧縮歪みを蓄えていることが明らかになった.以上の結果から,極薄Si酸化膜上でのGeナノドットの新しい構造HLモデルを提案した.

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© 2007 日本結晶成長学会
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