抄録
有機金属気相エピタキシー法による閃亜鉛鉱構造GaNのエピタキシャル成長および分子線エピタキシー法による閃亜鉛鉱構造InNのエピタキシャル成長に関する研究について紹介する.閃亜鉛鉱構造GaNの結晶成長ではV/III比を下げ,成長温度を高くすることによって高品質な閃亜鉛鉱構造GaNが得られることがわかった.ウルツ鉱構造GaNは{111}ファセット上に成長しやすい傾向にあるため,(001)面を保ったまま成長することによりウルツ鉱構造の混入を抑制することができる.閃亜鉛鉱構造InNの結晶成長においてもV/III比を下げ,成長温度を高くすることで純度の高い高品質な閃亜鉛鉱構造InNを得ることができた.このように,高純度かつ高品質な閃亜鉛鉱構造窒化物半導体を成長するためには,低いV/III比,高い成長温度,平坦な表面という条件が重要である.
