GaNなどの窒化物半導体は青色LED (Light Emitting Diode)などの発光素子として広く用いられている.これら窒化物半導体は,一般に安定相である六方晶系のウルツ鉱型構造(h-GaN)をもつが,近年,成長条件によっては準安定相である立方晶系の閃亜鉛鉱型構造(c-GaN)をもつ結晶も得られることが報告されている.本研究では,MBE (Molecular Beam Epitaxy)成長における準安定相c-GaNの成長条件を,気相の自由エネルギーを考慮した第一原理計算手法により解析した.解析結果から,h-GaNの混入に寄与する{111}ファセット面成長を抑制できる成長条件が存在することが示された.
