シリコン基板上へのエピタキシャルグラフェン成長(<特集>グラフェンの成長と応用)

抄録

有機シラン(モノメチルシラン)を用いたガスソース分子線エピタキシ法により,Si基板上に3C-SiC薄膜を低温(〜1000℃)成長させることができる.このSiC薄膜表面のSi原子を1200℃以上の真空アニールによって昇華させることで,Si基板上にグラフェンがエピタキシャルに形成される.グラフェン・オン・シリコン(GOS)法と名付けたこの方法では,Si基板の面方位を選択することで,グラフェンの電子物性を制御できる可能性がある.