(独)産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究ラボ
2013 年 39 巻 4 号 p. 170-178
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SiやSiCを超える物性値を持つ単結晶ダイヤモンドは,その優れた能力に期待されながらも,実用化に至るには,様々な課題が残されている.単結晶ダイヤモンドを用いたデバイス作製の基材となるウェハ供給においては,結晶の高品質化に加え,ウェハの大面積化と,大面積に渡る高速合成が大きな課題である.本稿では,単結晶ダイヤモンド合成技術開発と,結晶成長のメカニズムに関する現状を概説する
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