40 巻 (1998) 5 号 p. 557-568
照射歯面の形態学的変化が比較的少ないといわれている低いエネルギー量のハードレーザーの照射で, ゲル法により歯面上に生成したフルオルアパタイト結晶をエナメル質表面に溶着させ, エナメル質との界面の状態を形態学的に解明した。レーザー照射により, 表層でCaとPの濃度の減少が消失し, 生成されたフルオルアパタイト結晶とエナメル質との境界部で帯状の層を形成した。この境界部を透過型電子顕微鏡で観察すると, ゲル法に由来する結晶とエナメル質の結晶は嵌合状に結合していた。
以上の結果より, 低いエネルギー量でのハードレーザー照射によって, ゲル法で生成されたフルオルアパタイト結晶は, エナメル質と融合することが確認され, 従来から指摘されていたエナメル質との界面における不良な結合状態を解消することが示唆された。