主催: 一般社団法人日本物理学会
会議名: 2016年度日本物理学会秋季大会
開催日: 2016/09/13 - 2016/09/24
c軸配向性ウルツ鉱型Ti添加AlN薄膜(〜11at%)の光吸収、光伝導および価電子帯X線光電子分光(XPS)測定を行った。光吸収スペクトルでは、2.2eV付近に閾値を持つ単純な吸収構造が現れ、濃度とともにその立ち上がりは急峻になった。さらに光伝導も観測された。一方、価電子帯XPSでは、AlNの価電子帯の基本構造を保っていることがわかった。これらの結果を総合しTi添加AlNのバンド構造を議論する。