光ポンプ－テラヘルツポンプ－光プローブ分光による励起子モット転移ダイナミクスの観測

抄録

半導体中に励起子を共鳴的に光励起すると低温の電子正孔系が生成されるが、遮蔽効果によって励起子が不安定化するような高密度領域に達すると、励起後に特徴的な過渡的状態が実現することが最近明らかになった。そこで我々はこの状態に対してテラヘルツポンプ―近赤外プローブ分光を行い、キャリアのエネルギー分布や対相関といった固有の性質を探索した。この結果、キャリア化学ポテンシャルの特異なダイナミクスを観測した。