主催: 一般社団法人日本物理学会
会議名: 2016年度日本物理学会秋季大会
開催日: 2016/09/13 - 2016/09/24
二次元層状物質のMoS2において電界誘起超伝導が観測されて以来、遷移金属ダイカルコゲナイド系の化合物への電界効果キャリア注入が注目されている。本研究では、SeとTeの濃度を変えた薄い単結晶を用いた電界効果トランジスタを作製し、カルコゲンの種類とその濃度が電界効果トランジスタ動作に与える影響について考察する。また、イオン液体による電気二重層を用いて電界効果キャリアドーピングを行い、新規な超伝導相の可能性を探る。