日本物理学会講演概要集
Online ISSN : 2189-0803
ISSN-L : 2189-0803
セッションID: 18aB21-5
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多結晶MoS2単層膜における電界誘起金属-絶縁体転移
蒲 江枝川 祐介三田村 昌哉河合 英輝Lain-Jong Li蓬田 陽平柳 和宏伊東 裕竹延 大志
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抄録

二硫化モリブデン(MoS_2_)は古くから化学ドーピングによる相制御の研究が行われてきた。特に最近では、剥離法により分離された薄膜試料において、超伝導転移の電界制御も報告されている。これら興味深い物性は現状単結晶試料を用いて実現されているが、多結晶薄膜における伝導特性は未解明である。そこで今回我々は、化学気相成長した多結晶MoS_2_単層膜と電解質を用いたトランジスタ構造を組み合わせ、キャリア数を連続的に制御しながら電気伝導特性を評価した。その結果、高密度キャリア蓄積下において、 1.9Kまで金属伝導を観測した。当日は磁気抵抗特性や超伝導転移の可能性についても議論する。

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