Si n-MOS反転層クーロン散乱移動度への有効質量面内/垂直成分の影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 18a-B-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_2967

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

Si n-MOS反転層クーロン散乱移動度への有効質量面内/垂直成分の影響

*中林幸雄, 石原貴光, 沼田敏典, 内田建, 高木信一

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キーワード: 18a-B-7, 半導体A（シリコン）, Siデバイス／集積化技術, 反転層移動度

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