赤外分光法によるInN/InGaN界面における二次元電子ガスの観測

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 17p-TC-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3426

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

赤外分光法によるInN/InGaN界面における二次元電子ガスの観測

*田中宏和, 増田祥太郎, 藤原昌幸, 石谷善博, 草部一秀, 吉川明彦

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キーワード: 17p-TC-7, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, InN

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