超高次非線形誘電率顕微鏡法のパワーデバイス評価への応用－SiC-MOSFETの断面測定－

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第74回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19p-D7-15

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3751

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 74

開催地: 同志社大学

開催日: 2013/09/16 - 2013/09/20

超高次非線形誘電率顕微鏡法のパワーデバイス評価への応用－SiC-MOSFETの断面測定－

*茅根慎通, 中村孝, 長康雄

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キーワード: 19p-D7-15, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 電子デバイス・プロセス技術, SiC-MOSFET, SNDM

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