溶液プロセスで作製したアモルファスInZnO薄膜トランジスタ特性に対するバックチャネルの影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第74回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 17p-B4-16

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_4469

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 74

開催地: 同志社大学

開催日: 2013/09/16 - 2013/09/20

溶液プロセスで作製したアモルファスInZnO薄膜トランジスタ特性に対するバックチャネルの影響

*長田至弘, 石河泰明, 呂莉, 浦岡行治

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キーワード: 17p-B4-16, 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」, 酸化物半導体, 液体プロセス, 膜厚依存性

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