応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第62回応用物理学会春季学術講演会
セッションID: 13p-P17-8
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

独立に電圧印加可能なField Plateを有するAlGaN/GaN HEMTのパルスI-V特性
*間瀬 駿, 江川 孝志, 分島 彰男
著者情報
キーワード: 13p-P17-8, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, GaN, HEMT, Field Plate
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