RF-MBE法を用いたInGaN成長時における表面拡散長の評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20p-H121-16

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3434

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

RF-MBE法を用いたInGaN成長時における表面拡散長の評価

*伊達浩平, 関口寛人, 柳原藍, 山根啓輔, 岡田浩, 若原昭浩, 岸野克巳

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キーワード: 20p-H121-16, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 成長（MBE, スパッタリング）, 分子線エピタキシー, 拡散長, GaN

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