破壊観察によるSiC-MOSFET(TO-247)の冷熱サイクル劣化解析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 14p-P9-18

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_3254

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

破壊観察によるSiC-MOSFET(TO-247)の冷熱サイクル劣化解析

*荒木祥和, 鈴木達広, 山下真理, 大野俊明, 薬丸尚志, 澤田浩紀, 谷本智

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キーワード: 14p-P9-18, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, パワーデバイス, SiC-MOSFET, TO-247, 劣化解析

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