成長後アニールによる高濃度n型Geの発光増強(2)

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第64回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 16a-F204-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_1214

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 64

開催地: パシフィコ横浜

開催日: 2017/03/14 - 2017/03/17

成長後アニールによる高濃度n型Geの発光増強(2)

*東垂水直樹, 河合直行, 石川靖彦

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キーワード: 16a-F204-1, 光・フォトニクス, シリコンフォトニクス, 発光デバイス，レーザー, ゲルマニウム, フォトルミネセンス

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