表面損傷を与えたSi基板におけるSi欠陥発光の寿命評価(II)

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 7p-PB4-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_2825

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

表面損傷を与えたSi基板におけるSi欠陥発光の寿命評価(II)

*扇和也, 岡直大, 池田修哉, 瀬戸島健太, 寺井慶和

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キーワード: 7p-PB4-2, 半導体, 探索的材料物性・基礎物性, シリサイド半導体，環境半導体, Si欠陥, 発光寿命, フォトルミネセンス

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