低温In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>バッファ層を用いたa-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板上In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>のミストCVD成長

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 8a-PA4-22

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3928

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

低温In₂O₃バッファ層を用いたa-Al₂O₃基板上In₂O₃のミストCVD成長

*小林拓也, 山口智広, 尾沼猛義, 本田徹

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キーワード: 8a-PA4-22, 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」, 薄膜成長, 酸化インジウム, ミストCVD法

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