(La<sub>1-x</sub>Sr<sub>x</sub>)VO<sub>3 </sub>/ p-Si(100)接合の電気容量ー電圧特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第82回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 10a-S203-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_1307

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 82

開催地: ハイブリッド開催（名城大学＆オンライン）

開催日: 2021/09/10 - 2021/09/23

(La_1-xSr_x)VO₃/ p-Si(100)接合の電気容量ー電圧特性

*村主圭佑, 和達大樹, 新船幸二, 吉田晴彦, 堀田育志

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キーワード: 10a-S203-1, 薄膜・表面, 酸化物エレクトロニクス, 強相関電子系, 遷移金属酸化物, シリコン, 強相関電子系

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