スパッタアニール法を用いた<i>a</i>面AlNの結晶性の基板オフ角依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第82回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 10p-N102-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_2899

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 82

開催地: ハイブリッド開催（名城大学＆オンライン）

開催日: 2021/09/10 - 2021/09/23

スパッタアニール法を用いたa面AlNの結晶性の基板オフ角依存性

*渋谷康太, 上杉謙次郎, 肖世玉, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 秋山亨, 三宅秀人

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キーワード: 10p-N102-3, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 成長（MBE, スパッタリング）, r面サファイア, a面AlN, アニール

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