熱電能電界変調法によるInGaO<sub>3</sub>(ZnO)<i><sub>m</sub></i>薄膜トランジスタの有効チャネル厚さ解析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第69回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 25a-E202-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_3030

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 69

開催地: ハイブリッド開催（青山学院大学＋オンライン）

開催日: 2022/03/22 - 2022/03/26

熱電能電界変調法によるInGaO₃(ZnO)_m薄膜トランジスタの有効チャネル厚さ解析

*藤本卓嗣, 太田裕道

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キーワード: 25a-E202-8, 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」, 電子デバイス, 透明アモルファス酸化物半導体

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