東京都立大学大学院
71 巻 (2005) 9 号 p. 1146-1150
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エピタキシャル成長によってSi基板上に単結晶SiC薄膜を製作する方法を提案するとともに, 微小構造への適用を検討している. 薄膜の厚さは180nmであり結晶構造は良好であった. リソグラフィと複数のエッチングを組合せて片持ちはり構造 (幅30μm) を製作することで, プロセスが幾何学的精度に及ぼす影響を明らかにした. さらに, はりの曲げ試験を行った結果, 高い柔軟性を有することを示した.
精密工学会誌
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