表面科学
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ケルビンプローブ法によるTPD/Alq3系有機EL素子界面の接触電位差測定
岸野 賢悟太田 英二
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2002 年 23 巻 7 号 p. 455-460

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抄録

The contact potential differences on various substrates were measured as a function of organic layers thickness. Two different types of structures: traditional ITO/TPD/Alq3/Al structure LiF/Al cathode device. It was found that the introduction of LiF in Alq3/Al interface declined the electron injection barrier, which is supported by I-V characteristics and, in addition, contact potential changed abruptly in 10∼20 Å deposition. A gap state model enables us to explain the shifts of electronic level in organic interface layers.

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