半導体表面研究の最近の発展

抄録

STM/STSを始めとする種々の強力な実験法の開発, 局所密度汎関数法に基づく非経験的電子状態計算の進歩などにより, ここ10年間の半導体表面研究は画期的な発展を示している。Siを中心とした半導体表面再構成構造の解明, Si表面上の金属吸着系の諸問題を例として, 半導体表面研究の最近10年の動向を紹介し, 今後の方向を探る。