硫黄処理によるGaAs表面の安定化

抄録

硫黄処理を施したGaAs表面では,MIS界面準位密度の減少や,ショットキー障壁高さの顕著な金属依存性が観察される。この効果は,自然酸化膜の除去作用,並びに単原子硫黄膜の吸着による表面保護作用によってもたらされる。特に,硫黄表面の不活性さは,物質の化学吸着を抑制し,表面欠陥の発生を妨げる。本解説では,各種の電子分光実験やRHEED観察結果から,この表面安定化の機構について紹介する。