走査電子顕微鏡の特に二次電子像コントラストの成因を解析するモンテカルロシミュレーションを開発している。そこでは, (1) 試料に入射した一次電子が試料中で次々に衝突電離を起こして, 比較的エネルギーの高い電子の数がカスケード的に増大する効果, (2) そのそれぞれの電子が試料表面や組成の異なる物質の境界を越えるときに屈折や反射を受ける効果, (3) 試料の表面形状のために, 一旦試料外に出た電子が試料の他の部分に再入射したり, 試料表面上の電位分布によっては電界により引き戻されて試料に再入射する効果, さらに (4) 試料表面を離れた電子が電子顕微鏡試料室内の検出器からの電界により検出器に引き込まれていくときの電子軌道などが考慮されている。
