Ion Implantation Studies of Organic Polymers

Nobuyoshi KOSHIDA; Nobuyuki HIRAYAMA

doi:10.1380/jsssj.12.72

有機高分子電子材料へのイオン注入

越田信義, 平山信之

著者情報

ジャーナルフリー

1991 年 12 巻 2 号 p. 72-78

DOI https://doi.org/10.1380/jsssj.12.72

詳細

発行日: 1991/03/20 受付日: 1990/11/10 J-STAGE公開日: 2009/08/07 受理日: 1990/11/10 早期公開日: - 改訂日: -
訂正情報
訂正日: 2009/08/07 訂正理由: - 訂正箇所: 引用文献情報訂正内容: Wrong : 2) J. Lindhard, M. Scharff and H. E. Schiφtt : Kgl. Dan. Vindensk. Selskab. Mat. Fys. Medd. 33, No. 14 (1963).
3) W. N. Allen, P. Brant, C. A. Carosella, J. J. DeCoppo, C. T. Ewing, F. E. Saalfeld and D. C. Weber : J. Synth. Met. 1, 151 (1979/1980).
4) J. Davenas X. L. Xu, M. Maitrot, M. Gamoudi, G. Guillaud, J. J. Andre, B. Francois and C. Mathis : J. Phys. 44, 183 (1983).
5) H. Mazurek, D. R. Day, E. W. Maby, J. S. Abel S. D. Senturia, M. S. Dresselhaus and G. Dres selhaus : J. Polym. Sci. 21, 537 (1983).
6) N. Koshida and Y. Wachi : Appl. Phys. Lett. 45, 436 (1984).
8) N. Koshida and Y. Suzuki : J. Appl. Phys. 58, 5487 (1987).
9) N. Koshida, Y. Suzuki and T. Aoyama : Nucl. Instr. Methods B 37/38, 708 (1989).
10) S. Lin, K. Sheng, J. Bao, T. Rong, Z. Zhou, L. Zhang D. Zhu Z. Shen and M. Yan : Nucl. Instrum. Methods B 39, 778 (1989).
11) T. Wada, A. Takeno, M. Iwaki, H. Sasabe and Y. Kobayasi : J. Chem. Commun. 17, 1194 (1985)
12) T. Wada, A. Takeno, M. Iwaki and H. Sasabe : Synth. Metals. 18, 585 (1987).
13) S. R. Forrest. M. L. Kaplan, P. H. Schmidt, T. Venkatesan and A. J. Lovinger : Appl. Phys. Lett. 41, 708 (1982).
14) T. Venkatesan, S. R. Forrest, M. L. Kaplan, C. A. Murray, P. H. Schmidt and B. J. Wilkens : J. Appl. Phys. 54, 3150 (1983).
15) A. J. Lovinger, S. R. Forrest, M. L. Kaplan, P. H. Schmidt and T. Venkatesan : J. Appl. Phys. 55, 476 (1984).
16) M. L. Kaplan, S. R. Forrest, P. H. Schmidt and T. Venkatesan : J. Appl. Phys. 55, 732 (1984).
17) T. Venkatesan et al.: J. Appl. Phys. 56, 2778(1984).
18) K. Yoshida and M. Iwaki : Nucl. Instrum. Methods B 19/20, 878 (1987).
19) B. S. Elman, M. K. Thakur, D. J. Sandman, M. A. Newkirk, and E. F. Kennedy: J. Appl. Phys. 57, 4996 (1985).
20) T. Venkatesan, T. Wolf, D. Allara, B. J. Wikens and G. N. Taylor : Appl. Phys. Lett. 43, 934 (1983).
21) B. A. Maclver : J. Electrochem. Soc. 129, 827 (1982).
22) T. M.Hall, A. Wagner and L. F. Thompson : J. Appl. Phys. 53, 3997 (1982).
23) J. Davenas, X. L. Xu, G. Boiteux and D. Sage : Nucl. Instrum. Methods B 39, 754 (1989).
24) J. E. E. Baglin : Nucl. Instrum. Methods B 39. 764 (1989).
25) A. Licciardello, O. Puglisi, L. Calcagno and G. Foti : Nucl. Instrum. Methods B 39, 769 (1989).
26) G. Marletta, S. Pignataro and C. Oliveri : Nucl. Instrum. Methods B 39, 773 (1989).
27) A. Ishitani, K. Shoda, H. Ishida, T. Watanabe, K. Yoshida and M. Iwaki : Nucl. Instrum. Methods B 39, 783 (1989).
28) D. Karpuzov, K. L. Kostov, E. Venkova, P. Kirova, I. Katardjiev and G. Carter : Nucl. Instrum. Methods B 39, 787 (1989).
29) G. Marletta, S. Pignataro and C. Oliver : Nucl. Instrum. Methods B 39, 792 (1989).
30) J. Davenas, G. Boiteux and M. Fallavier : Nucl. Instrum. Methods B 39, 796 (1989).
31) R. B. Guimaraes, L. Amaral, M. Behar, F. C. Zawislak and D. Fink : Nucl. Instrum. Methods B 39, 800 (1989).
32) S. Fujimura, H. Yano and J. Konno : Nucl. Instrum. Methods B 39, 809 (1989).
33) K. Hashimoto, T. Koizumi, T. Sakashita, K. Kamakita and N. Nomura : Nucl. Instrum. Methods B 39, 813 (1989).

Right : 2) J. Lindhard, M. Scharff and H. E. Schiøtt : Kgl. Dan. Vindensk. Selskab. Mat. Fys. Medd. 33, No. 14 (1963).
3) W. N. Allen, P. Brant, C. A. Carosella, J. J. DeCoppo, C. T. Ewing, F. E. Saalfeld and D. C. Weber : J. Synth. Met. 1, 151 (1979/1980).
4) J. Davenas X. L. Xu, M. Maitrot, M. Gamoudi, G. Guillaud, J. J. Andre, B. Francois and C. Mathis : J. Phys. 44, 183 (1983).
5) H. Mazurek, D. R. Day, E. W. Maby, J. S. Abel S. D. Senturia, M. S. Dresselhaus and G. Dres selhaus : J. Polym. Sci. 21, 537 (1983).
6) N. Koshida and Y. Wachi : Appl. Phys. Lett. 45, 436 (1984).
8) N. Koshida and Y. Suzuki : J. Appl. Phys. 58, 5487 (1987).
9) N. Koshida, Y. Suzuki and T. Aoyama : Nucl. Instr. Methods B 37/38, 708 (1989).
10) S. Lin, K. Sheng, J. Bao, T. Rong, Z. Zhou, L. Zhang D. Zhu Z. Shen and M. Yan : Nucl. Instrum. Methods B 39, 778 (1989).
11) T. Wada, A. Takeno, M. Iwaki, H. Sasabe and Y. Kobayasi : J. Chem. Commun. 17, 1194 (1985)
12) T. Wada, A. Takeno, M. Iwaki and H. Sasabe : Synth. Metals. 18, 585 (1987).
13) S. R. Forrest. M. L. Kaplan, P. H. Schmidt, T. Venkatesan and A. J. Lovinger : Appl. Phys. Lett. 41, 708 (1982).
14) T. Venkatesan, S. R. Forrest, M. L. Kaplan, C. A. Murray, P. H. Schmidt and B. J. Wilkens : J. Appl. Phys. 54, 3150 (1983).
15) A. J. Lovinger, S. R. Forrest, M. L. Kaplan, P. H. Schmidt and T. Venkatesan : J. Appl. Phys. 55, 476 (1984).
16) M. L. Kaplan, S. R. Forrest, P. H. Schmidt and T. Venkatesan : J. Appl. Phys. 55, 732 (1984).
17) T. Venkatesan et al.: J. Appl. Phys. 56, 2778(1984).
18) K. Yoshida and M. Iwaki : Nucl. Instrum. Methods B 19/20, 878 (1987).
19) B. S. Elman, M. K. Thakur, D. J. Sandman, M. A. Newkirk, and E. F. Kennedy: J. Appl. Phys. 57, 4996 (1985).
20) T. Venkatesan, T. Wolf, D. Allara, B. J. Wikens and G. N. Taylor : Appl. Phys. Lett. 43, 934 (1983).
21) B. A. Maclver : J. Electrochem. Soc. 129, 827 (1982).
22) T. M.Hall, A. Wagner and L. F. Thompson : J. Appl. Phys. 53, 3997 (1982).
23) J. Davenas, X. L. Xu, G. Boiteux and D. Sage : Nucl. Instrum. Methods B 39, 754 (1989).
24) J. E. E. Baglin : Nucl. Instrum. Methods B 39. 764 (1989).
25) A. Licciardello, O. Puglisi, L. Calcagno and G. Foti : Nucl. Instrum. Methods B 39, 769 (1989).
26) G. Marletta, S. Pignataro and C. Oliveri : Nucl. Instrum. Methods B 39, 773 (1989).
27) A. Ishitani, K. Shoda, H. Ishida, T. Watanabe, K. Yoshida and M. Iwaki : Nucl. Instrum. Methods B 39, 783 (1989).
28) D. Karpuzov, K. L. Kostov, E. Venkova, P. Kirova, I. Katardjiev and G. Carter : Nucl. Instrum. Methods B 39, 787 (1989).
29) G. Marletta, S. Pignataro and C. Oliver : Nucl. Instrum. Methods B 39, 792 (1989).
30) J. Davenas, G. Boiteux and M. Fallavier : Nucl. Instrum. Methods B 39, 796 (1989).
31) R. B. Guimaraes, L. Amaral, M. Behar, F. C. Zawislak and D. Fink : Nucl. Instrum. Methods B 39, 800 (1989).
32) S. Fujimura, H. Yano and J. Konno : Nucl. Instrum. Methods B 39, 809 (1989).
33) K. Hashimoto, T. Koizumi, T. Sakashita, K. Kamakita and N. Nomura : Nucl. Instrum. Methods B 39, 813 (1989).

抄録

固体表面の物性や機能を制御する手段として,イオン注入は優れた利点と大きな技術的可能性をもつ。最近のイオン注入機器の進歩により,イオン種,加速電圧の範囲が広がり,それに伴ってイオン注入の対象は従来からの無機半導体に加えて,ポリマー,金属,セラミック,磁性体など,あらゆる材料に及び,研究分野は急速にひろがりつつある。ここでは,ポリマーをターゲットとしたイオン注入について,その特質と期待される効果を述べ,研究目的を不純物ドーピングと表面改質に分けてこの数年間の研究状況についてまとめる。

責任著者(Corresponding author)

訂正情報

J-STAGEへの登録はこちら（無料）