電子励起脱離法による固体表面上の水素の高感度検知

抄録

シリコン表面を水素によって終端化し,活性な表面を不動態化して安定なエピタキシー層や酸化層をつくろうとする試みが多くなされてきている。水素終端化の方法にはドライとウエットの方法がありノウハウもまた多数である。ところが実際にどの程度の水素が吸着しているのか推測の域を出ないものが多く,水素定量のための測定方法の開発が望まれている。本研究では清浄表面に原子状水素を吸着させて,電子励起イオン脱離法による比較的簡便な方法で半導体表面上の水素検知を高感度に行う方法について述べ,シリコンの表面処理の違いによる水素の吸着特性について述べた。また,脱離するプロトンのしきい値を測定し脱離のメカニズムについても考察した。ウエット法による終端化の例についてもふれる。