STMでみる固相エピタキシープロセス

抄録

STMによる固相エピタキシー成長過程研究の重要性について述べた。特に,原子レベルでの成長過程を理解するためには強力な武器となりえることを,Si(100)上でのSTM観察を例に取り,示した。今後は,探針表面間のバイアスを変化させた表面電子状態に対応したSTM像の観察やSTSを用いた局所的な電子状態の評価を取り入れることによって,真の意味での原子レベルからの結晶成長過程の理解が可能になることを述べた。