X線光電子分光法を用いた半導体のバンドギャップ内の界面準位の新しい観測方法

抄録

数nmの膜厚の酸化膜をもつMOS型ダイオードの界面準位は, 通常の電気的特性の測定から得ることは非常に困難である。本稿では, このような極薄酸化膜をもつMOS型ダイオードの界面準位のエネルギー分布を, バイアス電圧印加時にX線光電子スペクトルを測定することにより得る新しい方法を紹介する。