表面科学
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直流通電加熱によるSi(001)原子層平坦面の位置制御
安藤 淳坂本 邦博
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1998 年 19 巻 4 号 p. 271-272

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抄録

通電加熱は,試料そのものを発熱体として用いる加熱方法であり,シリコン表面研究において多用される加熱方法の一つである。本稿においては,シリコンの通電加熱方法の概略と,通電加熱時にSi(001)表面で起こる特徴的な現象,さらには我々が開発した直流通電加熱によるSi(001)原子層平坦面の位置制御について紹介する。

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© 社団法人 日本表面科学会
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