高周波イオンプレーテイングの基板入射イオン電流特性

抄録

高周波励起イオンプレーティング方式1) は, 直流方式2) に比較して種々の特長を持つ.即ち, 前者の動作領域は, ガス圧10^-3Torr以下でも可能であり, 高周波の振動電場によるイオン化率のコントロールが可能であるため, 動作条件を適当に選択することで, 目的に適した膜を作ることが出来る.又, 装置の機構から見て, 蒸発源を電子ビーム加熱方式としても, 特別に差圧機構などを設けずに通常の電子ビームに蒸着と同様に操作出来る.
筆者らは, この高周波イオンプレーティング装置において, イオン化機構としての高周波コイルに, 高周波電力を有効に供給するためのマッチング回路について考察し, 又, 基板に入射するイオン電流を, 基板印加電圧, 高周波電力, 真空度, 蒸発材料並びに蒸発速度及び磁場などをパラメーターとして測定したのでその結果を報告する.