炭素基板を用いた反応性高速スパッタSic膜

抄録

1) X線回折によれば640℃基板でのスパッタSiC膜はアモルファス状であり, 1000℃, 1200℃では (111) 面に配向したβ-SiCの回折パターンを示した.
2) スパッタSiC膜の微少硬度値はx線回折パターン同様C₂H₂分圧依存性を示しH_v : 1500～3000kg/mm²程度であった.
3) スパッタSiC膜の内部応力は圧縮性で, その値σは基板温度依存性を示し, 640℃基板ではσ : 9～15kg/mm², 1000℃, 1200℃基板ではσ : 1～2kg/mm²であった.
4) ESCAによるスパッタSiC膜のSiとのCの組成比は1000℃基板でC₂H₂分圧5×10^-5～2×10^-4Torrの範囲においてSi_xC_1-xでX : 0.69～0.53迄変化した.なおESCAデータの作成にあたっては電総研材料部高温電子材料研究室のご援助を得たので, 記して感謝申し上げる.