Agナノワイヤ援用型化学エッチングによるSi(111)表面上へのナノ溝形成

抄録

自己組織的な手法により、水素終端化Si原子層シートを作製することを最終的な目標としている。今回は、Si(111)表面のステップ／テラス構造のエッジ部にAgナノワイヤを形成し、これを触媒的に援用した化学エッチングを施した。その結果、幅約10nm、深さ約2nmでミシン目状のナノ溝構造がSi(111)表面上に形成されていることを確認した。以上より、異なる原子層厚のSiシートを分離する技術を獲得した。