主催: 日本表面真空学会
阪大院工
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単層MoS2はその大きな実効表面積のためガスセンシング材料として有望である。しかし、その、室温における遅い応答・回復は実用的なセンサ応用の妨げとなっている。最近、我々は単層MoS2のガス応答が光照射で活性化されることを見出した。本研究では、センサの応答・回復速度が光強度の増加とともに線形に増加することが分かった。この結果は、光刺激脱離を考慮したLangmuir吸着モデルで説明することができる。
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