直流反応性マグネトロンスパッタ法で作製した酸化タングステン薄膜におけるエレクトロクロミック特性の印加電圧依存性

抄録

代表的なEC材料であるWO₃を3 Paと高い圧力で製膜し、Liカチオンが注入されやすい疎な膜構造を作製した。以前は、膜厚500 nmのサンプルは安定した着消色を示したが、1000 nmは完全に消色せず、深いトラップへ注入されたカチオンの残留が示唆された。今回は、膜厚1000 nmのサンプルへのカチオン注入を抑制するために、注入時の印加電圧を変化させ、着消色時の透過スペクトルならびに移動電荷量を比較した。