主催: 社団法人 溶接学会
東北大学大学院
東北大学大学院工学研究科
産業総合技術研究所
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本研究では,ゾルーゲル法により一層のPZTをコーティングしたPt/Ti/SiO2/Si基板を500℃程度に加熱し,その上に PLD法でPZT薄膜を作製し,in situ成長したPZT薄膜の結晶構造と微細組織,電気的特性等を調べた.
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