ｎ型ＳｉＣ半導体とTi基コンタクト電極膜の界面特性と構造

抄録

ｎ型ＳｉＣに強度低下を招くＣを生成しないオーミック電極を形成するため、Ti基コンタクト電極を形成し、コンタクト特性を調べた。マグネトロンスパッタでＮｉ及びＣ／Ｔｉを製膜後に熱処理し、界面電気特性及び構造解析を行った。その結果、Ｃ／Ｔｉ電極においてＣを生成しないコンタクトが得られた。