次世代半導体用Sn-Ag系低温・低加圧接合に関する研究

抄録

次世代半導体として注目されている3D-ICの最大の課題である半導体チップ間の接合はこれまで、高い圧力か高い温度による、半導体チップへの負荷が大きいか、ピッチを小さくできず後の工程で低融点相が再溶融する課題があるソルダを用いる方法が提案されてきた。本研究ではこの両方の課題を同時に解決するSn-Ag系の薄膜接合手法の提案とそのメカニズムについて報告する。