初期粒子密度を制御したSiペーストを用いたSiC低温接合による高接合強度化

抄録

これまでSiCの低温接合（1400°C以下）のためSiペースト塗布による接合を検討し、ポーラスなSi焼結中間層の緻密化が接合強度向上に必須と報告してきた。本研究ではその緻密化に及ぼすSi粒子の初期密度の影響を調査した。接合強度とSi中間層組織の関係を示し、接合強度向上指針を議論する。