主催: 一般社団法人溶接学会
大阪大学接合科学研究所
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これまでSiCの低温接合(1400°C以下)のためSiペースト塗布による接合を検討し、ポーラスなSi焼結中間層の緻密化が接合強度向上に必須と報告してきた。本研究ではその緻密化に及ぼすSi粒子の初期密度の影響を調査した。接合強度とSi中間層組織の関係を示し、接合強度向上指針を議論する。
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