テトラメチルスズプラズマ重合膜の化学構造と導電率に対するプラズマアニール効果

抄録

テトラメチルスズ (TMT) を出発材料としたグロー放電分解法により, プラズマ薄膜を作製し, その化学構造と導電率に対するプラズマアニール効果を調べた. 膜の化学構造はX線光電子分光法 (XPS), フーリエ変換赤外分光計 (FT-IR), 反射電子線回折 (RED) を用いて分析した, 成膜直後のTMTプラズマ重合膜はSn, O, C, 及びHを含有した非晶質薄膜であった. この膜をN₂ブラズマアニールすると膜のO/Sn比は増加したがC/Sn比, 結晶構造には顕著な変化は認められなかった. 一方, Arプラズマァニールにより, O/Sn比の増加とC/Sn比の減少が認められ, 結晶化が進行した. 室温導電率は成膜直後の膜DS1.2×10^-9 (Ohm^-1cm^-1), N₂ブラズマアニール後が3.1×10^-5 (Ohm^-1cm^-1), Arプラズマアニール後が2.4×10¹ (0hm^-1cm^-1) と見積られ, Arプラズマアニールにより約9桁の導電率の向上が認められた.