抄録
ヨウ素でドープしたポリアセチレンとインジウムとの接合特性が研究された. サンドイッチ型の素子を作製して特性を測定したが, 用いられたヨウ素ドープポリアセチレンの導電率は6.60×10-3～7.62 S/cmの範囲であった. 測定されたすべてのポリアセチレンが金重極でサンドイッチされた時には, オーミックな特性を示したが, 片側インジウムとした時, 整流接合が認められた, 電流-電圧特性と容量-電圧特性の解析から, ポリアセチルンとインジウムとの界面にショットキー障壁が形成されていることがわかった. しかしながら, 接合の理想因子は大きく, その障壁は不完全なものであった. ドープ量を増やして導電率を上げていくと, バルク抵抗の減少のため見かけの整流性は大きくなり, 一方障壁の高さの低下で逆方向電流は増加した.
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