まてりあ
Online ISSN : 1884-5843
Print ISSN : 1340-2625
ISSN-L : 1340-2625
溶液気化CVD法によるDRAM用高誘電率キャパシタ膜形成技術の開発
松野 繁内川 英興渡井 久男木ノ内 伸一川原 孝昭
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1998 年 37 巻 6 号 p. 528-530

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